
該工作系統(tǒng)研究了MF1摻雜比例對(duì)三元器件光伏參數(shù)的影響。隨著MF1摻雜比例的增加,器件的短路電流先升高后降低;開(kāi)路電壓逐漸升高;填充因子先升高后降低再升高。器件短路電流的升高主要?dú)w因于有源層光子俘獲和形貌的優(yōu)化。逐漸增大的開(kāi)路電壓表明:MF1和Y6形成了類合金態(tài),即分子間激發(fā)態(tài)能級(jí)簡(jiǎn)并,MF1和Y6良好的兼容性是形成類合金態(tài)的前提條件。作者利用Raman mapping,接觸角和GIWAXS實(shí)驗(yàn)證明MF1和Y6具有較好的兼容性。從其Raman mapping的圖像中,能夠直觀地觀察到MF1在有源層中的分布情況。藍(lán)色,紅色和黃綠色區(qū)域分別表示混合膜中的PM6,Y6和MF1。從三元Raman mapping的圖像中能夠觀察到大多數(shù)黃綠色斑點(diǎn)嵌入到紅色區(qū)域,表明在三元混合薄膜中MF1更傾向于與Y6混合形成類合金態(tài)。填充因子的變化主要?dú)w因于雙受體材料較好的兼容性和不同的LUMO能級(jí)。由于MF1的LUMO能級(jí)高于Y6,當(dāng)MF1在受體中的比例為10 wt%時(shí),MF1和Y6上產(chǎn)生的電子能夠沿著較低的混合LUMO能級(jí)傳輸。當(dāng)MF1的含量增加到50 wt%時(shí),有源層中會(huì)形成大量的電子陷阱,導(dǎo)致器件電子遷移率和填充因子的降低。當(dāng)MF1的含量為10 wt%時(shí),三元器件的效率達(dá)到最優(yōu)17.22%,其短路電流為25.68 mA cm 2,開(kāi)路電壓為0.853 V,填充因子為78.61%。相較于PM6:Y6二元器件,最優(yōu)三元器件的短路電流,開(kāi)路電壓和填充因子均得到了提升。